Molekularstrahlepitaxie

Plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie von AlGaN/GaN-Heterostrukturen: Substrateinfluss auf die strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften epitaktisch gewachsener Strukturen

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Ziel dieser Arbeit ist die Herstellung hochqualitativer AlGaN/GaN-Heterostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) für die Anwendung in Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs). Eingangs wird das verwendete MBE-System systematisch charakterisiert. Dabei werden technisch relevante Parameter, wie die Schichtdickeninhomogenität, untersucht. Davon ausgehend wird der Einfluss der Wachstumsbedingungen auf die Morphologie und Kristallqualität der gewachsenen GaN-Schichten untersucht. Sie zeichnen sich durch atomar glatte Oberflächen und beste Kristallqualität aus. Anschließend steht die Entwicklung hochpräziser und ultrareiner Heterostrukturen im Fokus. Dazu werden kurzperiodische AlGaN/GaN-Übergitter als vielseitige Te

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Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production

Preis: EUR 111,10 *
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This multi-contributor handbook discusses Molecular Beam Epitaxy (MBE), an epitaxial deposition technique which involves laying down layers of materials with atomic thicknesses on to substrates. It summarizes MBE research and application in epitaxial growth with close discussion and a ‚how to‘ on processing molecular or atomic beams that occur on a surface of a heated crystalline substrate in a vacuum. MBE has expanded in importance over the past thirty years (in terms of unique authors, papers and conferences) from a pure research domain into commercial applications (prototype device structures and more at the advanced research stage). MBE is important because it enables new device phenomena and facilitates the production of multiple layer

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Molekularstrahlepitaxie von Zn1-XMnXSe-basierten semimagnetischen Halbleiter-Heterostrukturen sowie Untersuchungen zu ihren strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften

Preis: EUR 24,96 *
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Die Herstellung von Zn1-xMnxSe-basierten semimagnetischen II-VI-Halbleiterheterostrukturen mit der Methode der Molekularstrahlepitaxie und Untersuchungen zu ihren strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften sind das Thema dieser Arbeit. Ein erstes Ziel der Arbeit war die kontrollierte Herstellung von Zn1-xMnxSe-Volumenschichten und ihre Charakterisierung. Als günstig für die Wachstumsqualität erwies es sich, dazu ein Überangebot an Selen zu verwenden. Beim Experimentieren mit RHEED-Oszillationen zur Bestimmung der Wachstumsrate von Zn1-xMnxSe fiel auf, daß auch dünne MnSe-Filme bei kleinem Mn-Fluß und daher hohem Se- Überangebot sehr ausgeprägte RHEED-Oszillationen zeigten. Da auf diese Weise die MnSe-Filmdicke sehr gen

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